硅通孔(TSV)技术是当前先进性最高的封装互连技术之一,基于TSV技术的三维(3D)封装能够实现芯片之间的高密度封装,能有效满足高功能芯片超薄、超小、多功能、高性能、低功耗及低成本的封装需求。本书针对TSV技术本身,介绍了TSV结构、性能与集成流程、TSV单元工艺、圆片级键合技术与应用、圆片减薄与拿持技术、再布线与微凸点技术;基于TSV的封装技术,介绍了2.5D TSV中介层封装技术、3D WLCSP技术与应用、3D集成电路集成工艺与应用、3D集成电路的散热与可靠性。本书既可作为集成电路封装与测试的工程技术参考书,也可作为高等学校相关专业的教学用书。
内容简介
“集成电路系列丛书”主编序言 培根之土 润苗之泉 启智之钥 强国之基
前言
第1章 三维封装发展概述
1.1 封装技术发展
1.2 拓展摩尔定律——3D封装
1.3 3D封装技术发展趋势
1.4 本书章节概览
第2章 TSV结构、性能与集成流程
2.1 TSV定义和基本结构
2.2 TSV工艺流程概述
2.3 Via-middle技术
2.4 Via-last技术
2.5 其他TSV技术路线
2.6 本章小结
第3章 TSV单元工艺
3.1 TSV刻蚀技术
3.2 TSV侧壁绝缘技术
3.3 TSV黏附层、扩散阻挡层及种子层沉积技术
3.4 TSV电镀填充技术
3.5 TSV平坦化技术
3.6 TSV背面露铜技术
3.7 本章小结
第4章 圆片级键合技术与应用
4.1 圆片级键合与3D封装概述
4.2 介质键合技术
4.3 金属圆片键合技术
4.4 金属/介质混合键合技术
4.5 本章小结
第5章 圆片减薄与拿持技术
5.1 圆片减薄技术
5.2 圆片临时键合技术
5.3 圆片拆键合技术
5.4 临时键合材料
5.5 本章小结
第6章 再布线与微凸点技术
6.1 再布线技术
6.2 钎料凸点技术
6.3 铜柱凸点技术
6.4 铜凸点技术
6.5 本章小结
第7章 2.5DTSV中介层封装技术
7.1 TSV中介层的结构与特点
7.2 TSV中介层技术发展与应用
7.3 TSV中介层电性能分析
7.4 2.5DTSV中介层封装热设计与仿真
7.5 2.5DTSV中介层封装研究实例
7.6 本章小结
第8章 3DWLCSP技术与应用
8.1 基于TSV和圆片键合的3DWLCSP技术
8.2 基于Via-last型TSV的埋入硅基3D扇出型封装技术
8.3 3D圆片级扇出型封装技术
8.4 本章小结
第9章 3D集成电路集成工艺与应用
9.1 3D集成电路集成方法
9.2 存储器3D集成
9.3 异质芯片3D集成
9.4 无凸点3D集成电路集成
9.5 3D集成模块化整合
9.6 本章小结
第10章 3D集成电路的散热与可靠性
10.1 3D集成电路中的热管理
10.2 3D集成电路散热影响因素与改进
10.3 TSV电学可靠性
10.4 TSV噪声耦合
10.5 TSV的热机械可靠性
10.6 3D集成电路中的电迁移
10.7 3D集成电路中的热力学可靠性
10.8 3D封装中芯片封装交互作用
10.9 本章小结
参考文献
